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DDR2 DDR3 DDR4 上電時(shí)序測試 電源紋波測試 DDR2 時(shí)鐘測試 數據信號測試

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發(fā)布時(shí)間: 2023-12-15 12:05
最后更新: 2023-12-15 12:05
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詳細說(shuō)明
DDR基礎知識

1)TDQS概述:
我們能在任何一個(gè)內存條的datasheet上看到TDQS/TDQS#的描述:
Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are
no function.
2)TDQS/TDQS#功能:
DDR3中,加入了TDQS/TDQS#的功能,其引腳與DM復用。通過(guò)MR1寄存器進(jìn)行功能的選通(僅在x8的顆粒上使用;x4與x16的顆粒需要關(guān)閉該功能):
DDR基礎知識之TDQS理解
該功能簡(jiǎn)化了,x4與x8-RDIMMs混合使用的存儲器控制系統的設計。x8的內存條中每8bits需要一對DQS、x4的內存條中每4bits需要一對DQS.在x4與x8混合使用的系統中,DQS信號的負載不同,而該不同會(huì )產(chǎn)生SI問(wèn)題。
需要注意的是:在DDR3中,TDQS/TDQS#僅提供端接的功能。
3)舉例說(shuō)明:
DDR基礎知識之TDQS理解

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