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儲能電站直流熔斷器座傳導發(fā)射整改

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發(fā)布時(shí)間: 2025-06-18 11:40
最后更新: 2025-06-18 11:40
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隨著(zhù)儲能電站規模的不斷擴大,電力設備對電磁兼容性的要求日益嚴格。深圳市南柯電子科技有限公司近期針對儲能電站直流熔斷器座開(kāi)展了系統的輻射發(fā)射摸底測試和傳導發(fā)射摸底工作,發(fā)現部分產(chǎn)品在傳導發(fā)射指標上存在不達標現象。本文圍繞儲能電站直流熔斷器座的傳導發(fā)射整改展開(kāi),結合產(chǎn)品成分分析、檢測項目、適用標準及整改措施進(jìn)行深入剖析,期望為同行提供參考和借鑒。

一、產(chǎn)品成分分析及相關(guān)發(fā)射特性

儲能電站直流熔斷器座主要由熔斷器本體、電流導電結構、絕緣材料以及連接端子組成。熔斷器座的設計關(guān)注高電流承載與快速保護功能,但其構造中的金屬導體、接插件和印制電路板都會(huì )成為傳導發(fā)射的潛在干擾源。絕緣殼體及內部間隙對輻射發(fā)射亦有一定影響。

傳導發(fā)射一般來(lái)源于熔斷器座的輸入輸出端口,電流開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模電流會(huì )通過(guò)交流或直流電纜傳導到電網(wǎng),影響相關(guān)設備正常工作。儲能電站的工作環(huán)境復雜,直流熔斷器座需要特別針對傳導發(fā)射進(jìn)行設計優(yōu)化,以符合國家及國際電磁兼容性標準的要求。

二、檢測項目及所依據的標準

深圳市南柯電子科技有限公司本次開(kāi)展的檢測包括:

輻射發(fā)射摸底測試:評估熔斷器座在模擬實(shí)際工況下的空間輻射干擾水平。 傳導發(fā)射摸底測試:測量設備通過(guò)電源線(xiàn)或信號線(xiàn)向外界傳導的干擾電流。 輻射發(fā)射整改后復測及傳導發(fā)射整改后驗證測試。

測試過(guò)程嚴格遵循以下標準:

標準編號適用內容
GB/T 電磁兼容測試及測量技術(shù)——傳導發(fā)射
CISPR 16-1-2:2014無(wú)線(xiàn)電干擾特性的測量方法,傳導發(fā)射測量
GB/T 電磁兼容測試及測量技術(shù)——輻射發(fā)射測試
GB 儲能系統電磁兼容要求

以上標準為熔斷器座的電磁兼容檢測定下了規范框架。深圳市南柯電子科技有限公司深入采用標準方法完成了準確的摸底測試,為后續整改奠定基礎。

三、傳導發(fā)射及輻射發(fā)射摸底的關(guān)鍵發(fā)現

摸底測試結果顯示,部分熔斷器座的輸入端傳導發(fā)射超出標準限值,表現為低頻段共模電流較大,可能對儲能電站其他設備造成干擾。輻射發(fā)射測試中,熔斷器座傳播的高頻尖峰脈沖在近場(chǎng)測量?jì)x器中表現明顯,但總體輻射水平低于限值。

分析產(chǎn)生傳導發(fā)射的根源主要有:

接地設計不合理,形成回路阻抗升高,導致共模干擾加劇。 連接端子與導線(xiàn)布局不規范,信號線(xiàn)與電源線(xiàn)耦合產(chǎn)生干擾。 選擇的絕緣材料電磁屏蔽性能不足,無(wú)法有效減弱干擾波。 電路內部濾波設計存在不足,無(wú)法濾除開(kāi)關(guān)元件開(kāi)閉瞬態(tài)帶來(lái)的高頻干擾。

輻射發(fā)射摸底測試則提醒設計團隊要重視設備外殼和接口的電磁屏蔽,考慮接地平面與金屬殼體的配合。

四、傳導發(fā)射整改措施及技術(shù)方案

針對傳導發(fā)射的超標問(wèn)題,深圳市南柯電子科技有限公司提出了如下整改方案:

優(yōu)化接地系統:采用多點(diǎn)接地策略,降低回路阻抗,減少共模干擾電流。 改進(jìn)端子布局與配線(xiàn)方式,合理分配信號線(xiàn)與電源線(xiàn)間距,避免干擾耦合。 增設共模扼流圈以及主動(dòng)濾波器,在導線(xiàn)上有效抑制干擾頻率分量。 更換或增加高性能電磁屏蔽材料,提升絕緣殼體的屏蔽效果。 優(yōu)化印制電路板設計,增加地線(xiàn)層與濾波網(wǎng)絡(luò ),實(shí)現內部干擾的早期抑制。

整改過(guò)程中,技術(shù)團隊結合輻射發(fā)射摸底測試的反饋同步改進(jìn),確保整改不會(huì )引發(fā)新的輻射或傳導問(wèn)題。經(jīng)過(guò)多輪迭代,整改后的直流熔斷器座在傳導發(fā)射復測中顯著(zhù)降低了共模電流,完全符合國家及guojibiaozhun要求。

五、綜合輻射發(fā)射整改思路

本次主要聚焦傳導發(fā)射整改,輻射發(fā)射的控制同樣不可忽視。深圳市南柯電子科技有限公司在設計改進(jìn)時(shí),結合了輻射發(fā)射摸底測試的深入分析:

外殼結構細節調整,避免形成諧振腔引起的高頻輻射峰值。 加強接口屏蔽罩設計,減少接口縫隙的輻射泄露。 采用高頻濾波元件及電路布局優(yōu)化,抑制開(kāi)關(guān)瞬態(tài)的高頻脈沖。 對連接導線(xiàn)實(shí)施走線(xiàn)加屏蔽層及扭絞處理,降低輻射干擾傳播。

整改后,輻射發(fā)射水平穩定降低,符合《GB/T 》標準及儲能系統用電磁兼容要求,強化了產(chǎn)品的電磁兼容性能。

六、及展望

本次深圳市南柯電子科技有限公司針對儲能電站直流熔斷器座開(kāi)展的輻射發(fā)射摸底測試與傳導發(fā)射摸底工作,為準確了解產(chǎn)品電磁干擾真實(shí)狀況提供了科學(xué)依據。通過(guò)針對性傳導發(fā)射整改和輻射發(fā)射同步改善,產(chǎn)品的電磁兼容性能得到了有效提升。整改過(guò)程中注重設計細節與材料選擇,兼顧實(shí)際工況與測試標準要求。

從技術(shù)工程師的視角來(lái)看,儲能電站直流熔斷器座的電磁環(huán)境復雜且多變,任何忽視端子的接地布局、濾波設計和屏蔽措施都會(huì )在實(shí)際運行中暴露隱患。深圳市南柯電子科技有限公司的完整整改方案,證明了“先摸底測試,后針對整改,再驗證復測”的科學(xué)路線(xiàn)是提升產(chǎn)品競爭力和保障儲能電站安全運行的關(guān)鍵。

未來(lái),隨著(zhù)儲能技術(shù)的升級和容量的拓展,儲能電站對直流熔斷器座在傳導與輻射發(fā)射方面的要求會(huì )更加苛刻。深圳市南柯電子科技有限公司將繼續加強產(chǎn)品研制與電磁兼容測試的技術(shù)深耕,不斷推陳出新,確??蛻?hù)獲得最可靠的產(chǎn)品性能與服務(wù)體驗。

考慮到儲能電站產(chǎn)品的復雜性及嚴格的電磁兼容要求,建議相關(guān)企業(yè)和實(shí)驗室采用深圳市南柯電子科技有限公司的專(zhuān)業(yè)服務(wù),通過(guò)科學(xué)的輻射發(fā)射摸底測試與傳導發(fā)射整改方案,實(shí)現高效合規的產(chǎn)品研發(fā)過(guò)程,降低后期整改風(fēng)險,提升市場(chǎng)競爭力。

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